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傳俄羅斯2028年量產7nm光刻設備
來源:Tomshardware
報導表示，俄羅斯政府推出了一項國家計劃，到2030年開發出自己的28納米制程技術，并盡可能利用外國芯片進行逆向工程取得技術，同時也要培養本土人才從事國產芯片的生產工作。
根據俄羅斯所發表的計劃，俄羅斯科學院下屬的俄羅斯應用物理研究所（RussianInstituteofAppliedPhysics，IAP）預期，到2028年研發且量產出具有7納米制造能力的微影光刻設備。
報導指出，俄羅斯即將開發量產的設備，將與ASML或NIKON等公司生產的微影光光設備有所不同。例如，IAP計劃使用大于600W的光源，曝光波長為11.3nm（EUV波長為13.5納米），這將需要比現在更復雜的光學元件。由于該設備的光源功率相對較低，這將使該工具體積更緊湊，因此更容易制造。然而，這也意味著其微影光刻設備的芯片產量將大大低于現代深紫外（DUV）微影光刻設備。但IAP表示，這將不會是問題。
就現階段來說，32納米以下的制程技術，制造商目前主流采用的是所謂的沉浸式微影光刻設備。ASML于2003年底推出了其第一款沉浸式微影光刻設備-TwinscanXT:1250i，并在2004年第三季交貨一臺設備，用以生產65納米邏輯芯片和70納米等級的DRAM。之后，該公司花了大約5年時間，于2008年底宣布推出之支援32納米的TwinscanNXT:1950i，沉浸式微影光刻設備，并于2009年開始向客戶交貨。
以上說明，代表當前的技術領先者ASML大約花了9年的時間，才在2018年交貨其支援7納米和5納米制程的TwinscanNXT:2000iDUV微影光刻設備。再從ASML的產品發展歷程來看，從65納米制程發展到7納米制程，總計用了14年的時間。
現在，在芯片生產方面沒有任何經驗或與芯片制造商沒有任何聯系的俄羅斯IAP，打算在大約6年的時間里從頭開始制造一套支援7納米制程的微影光刻設備，并進一步進行量產，雖然這個計劃聽起來實在不太可行，但看起來IAP卻是充滿了熱情。
根據發展時程，IAP計劃在2024年之前建造一個功能齊全的首代微影光刻設備。這個微影光刻設備不必提供高生產率，或最大解析度，但必須能運作，使其對潛在投資者有吸引力。之后，IAP打算在2026年之前制造出具有更高生產力和解析度的微影光刻設備的測試版。這時這套機器應該要可以量產晶圓，但預計其生產力不會達到最大。至于，俄羅斯規劃的微影光刻設備終極版本將在2028年問世，其不但要能獲得高性能光源，并且具有更好的計算量測和整體能力。不過，目前尚沒有公布IAP與其生產合作伙伴將要生產多少套此類設備。
