CMP110N06L：筑MOS發展，造行業典范

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半導體行業的發展始終與人類需求息息相關。在現代電子市場中，高效率、低損耗的電子元器件需求不斷增加，為提高能源利用率和實現綠色發展大計，半導體行業勢必會朝著“低壓電、大電流”方向發展。

“大電流”的概念并不是絕對的，在不同的應用領域，其外延和內涵不盡相同。在電源領域，如低壓開關電源、小功率逆變器應用；在小型電機驅動領域，如新型電動汽車電機驅動、傳統汽車啟動系統核心部件都是由蓄電池提供低壓大電流；在LED燈控制方面，同樣有出色的表現，多路并聯完成大功率輸出。隨著綠色能源和智能設備的普及，在這些應用電子電路中選擇一款合適的MOSFET器件變得尤為重要。

CMP110N06L MOSFET是廣東場效應半導體有限公司（下文稱Cmos）在此背景下推出的一款具有較高性價比的產品。該產品已在LED燈控，逆變產品，UPS電源，驅動控制類等方面得到廣泛應用，依靠其卓越的電氣特性，得到廣大消費者的認可。

封裝形式

CMP110N06L MOSFET封裝形式及內部拓撲結構：

Cmos考慮到用戶使用場景的需要，CMP110N06L MOSFET提供TO-220和TO-263兩種不同的封裝形式可供用戶選擇，以便更好匹配用戶的網絡環境。

漏源電壓：

漏源極電壓是指DS之間所能施加的最大電壓。CMP110N06L MOSFET工作時漏極和源極之間最大電壓VDS=60V，作為工程師都曉得60V電壓是低壓領域的黃金段位，涉及很多產品，如大部分電機應用，燈控應用，充放電設備等很多產品都可以使用。

漏源電流：

漏源電流是指MOS管工作時的漏極和源極之間可持續流過的最大電流。CMP110N06LMOSFET，在TC=25℃條件下，DS之間的電流為110A，這使得該型號可滿足絕大多數大電流應用場景，尤其應用在在感性負載端效果會更好。

閾值電壓：

VGS是MOS管柵/源極的開啟電壓。CMP110N06L的開啟電壓VGS=2.2V,這個電壓相對較低，使該MOS管在應用場景中的驅動方案變的尤為簡單，使PCB空間占比相對更小，更容易將控制電路集成小型化。

CMP110N06L 采用的TO-220和263封裝形式背部均有較大散熱片，其中，結殼熱阻值RθJC只有0.96℃/W，使CMP110N06L在較高頻率條件下能夠更好地散熱，有效降低MOS管溫升的同時，保障了其運行的穩定性。

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